MOSFET 4N60

4N60功率MOS场效应管采用*的高压DMOS工艺技术。这种*工艺使器件具有优良的特性，如*快的开关速度，*低栅电荷，*小化的导通电阻以及*强的雪崩击穿特性。这种器件*适合于*开关电源，DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。

特征
· 4A，600V， RDS(on)=2.5Ω@Vgs=10V；
· *低栅电荷，典型15nC；
·*低反向转换电容；典型8pF
· 快速开关能力；
· 增强的dV/di能力；
· 100%雪崩击穿测试；
· 封装型式：TO-220/TO-220F
· *大结温 150 ℃