科联供应*原装IRF3205PBF,优势库存!

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  • 上海科联电子供应*原装MOS管IRF3205PBF,上海、深圳自家库存,价格优势,欢迎来电!
  • 类别:分离式半导体产品
    家庭:MOSFET,GaNFET - 单
    系列:HEXFET®
    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
    FET 特点:标准型
    开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫欧 @ 62A, 10V
    漏*至源*电压(Vdss):55V
    电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C:110A
Id 时的 Vgs(th)(*大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:146nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3247pF @ 25V
功率 - *大:200W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
包装:管件
供应商设备封装:TO-220AB
其它名称:*IRF3205PBF
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF3205PBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

10(V)

夹断电压

55(V)

跨导

25(μS)

*间电容

3247(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

110000(mA)

耗散功率

200000(mW)