MOS管 三*管 场效应IRG4IBC30S IRG4IBC30 IRG4IBC30SPbF
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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数据列表 IRG4IBC30SPbF
产品相片 TO-220AB Pkg
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -
电压 - 集电*发射*击穿（*大） 600V
Vge, Ic时的*大Vce（开） 1.6V @ 15V, 18A
电流 - 集电* (Ic)（*大） 23.5A
功率 - *大 45W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 TO-220AB 整包
包装 管件
IR/国际整流器
IRG4IBC30S
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
*（V）
*（V）
*（μS）
***********（pF）
*（dB）
*（mA）
*（mW）
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