贴片 TO-252 IRFR5305 场效应管
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
相关推荐
(以下参数只供参考)
类别:分离式半导体产品
家庭:FET - 单路
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C:65 毫欧 @ 16A, 10V
漏*至源*电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C:31A
Id 时的 Vgs(th)(*大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:63nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1200pF @ 25V
功率 - *大:110W
IR/国际整流器
IRFR5305
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
55(V)
31(mA)
110(mW)