场效应管 IRF530NSPBF IRF530

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 陈丽燕

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名称:MOS场效应管

型号:IRF530NSPBF

封装:SO263

牌子:IR国际整流

以下标准参数只供参考

  • 晶体管*性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:15A
  • 电压, Vds *大:100V
  • 在电阻RDS(上):110mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗, Pd:63W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
  • 功率, Pd:63W
  • 功耗:63W
  • 器件标记:IRF530N
  • 封装类型:TO-220AB
  • 引脚节距:2.54mm
  • 晶体管数:1
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏*电流, Id *大值:17A
  • 热阻, 结至外壳 A:1.9°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电压, Vgs *高:4V
  • 电流, Idm 脉冲:60A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚格式:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • 针脚配置:a
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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF530S

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

CC/恒流

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道