**IRFD120PBF MOS 场效应管

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

IR MOS 场效应管飞捷电子是**的功率器件分销商,致力于*推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌意法半导体,FUJI*童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二*管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二*管,肖特基二*管,智能电源开关管,IC等*无铅产品。

产品种类:MOSFET 小信号
 

 

RoHS:RoHS 合规性豁免 详细信息
配置:Single Dual Drain
 

 

晶体管*性:N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通):0.27 Ohm @ 10 V
 

 

汲*/源*击穿电压:100 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
 

 

漏*连续电流:1.3 A
功率耗散:1300 mW
 

 

*大工作温度: 175 C
安装风格:Through Hole
 

 

封装 / 箱体:HexDIP
封装:Tube
 

 

*小工作温度:- 55 C
"
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFD120PBF

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

低频跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)