产品详情

*童场效应管FQP22N30

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司

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*童 飞兆 Fairchild*代理

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:MOSFETs 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Product:General Purpose MOSFETs 
Configuration:Single 
Package / Case:TO-220 
Transistor Polarity:N-Channel 
Drain-Source Breakdown Voltage:300 V 
Continuous Drain Current:21 A 
Power Dissipation:170000 mW 
Forward Transconductance gFS (Max / Min):16 S 
Resistance Drain-Source RDS (on):0.16 Ohm @ 10 V 
T*ical Fall Time:100 ns 
T*ical Rise Time:230 ns 
T*ical Turn-Off Delay Time:85 ns 
Packaging:Tube 
Gate-Source Breakdown Voltage: /- 30 V 
Maximum Operating Temperature:150 C 
Minimum Operating Temperature:- 55 C 
T*e:MOSFET 
品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQP22N30

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

封装形式

TO220