MOSFET场效应管FQD9N08 FQD9N08L FQD19N10 FQD19N10L代理

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望不吝来电
**IC  MOS场效应管

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漏*电流

0

材料

GE-P-FET锗P沟道

种类

结型(JFET)

型号/规格

FQD9N08 FQD9N08L FQD19N10 FQD19N10L

封装外形

SMD(SO)/表面封装

品牌/商标

FAIRCHILD/SOT252

用途

MOS-INM/*组件

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

低频噪声系数

0

*间电容

0