供应MMBT5551-7-F进口原装现货

地区:广东 深圳
认证:

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制造商: Diodes Incorporated

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  详细信息  

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 160 V

集电极—基极电压 VCBO: 180 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V

集电极—射极饱和电压: 0.2 V

最大直流电集电极电流: 0.6 A

增益带宽产品fT: 300 MHz

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MMBT5551

直流电流增益 hFE 最大值: 250  

高度: 1 mm  

长度: 3.05 mm  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

封装: Reel  

宽度: 1.4 mm  

商标: Diodes Incorporated  

集电极连续电流: 0.6 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 80  

Pd-功率耗散: 300 mW  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

单位重量: 33 mg

MMBT5551-7-F

MMBT5551-7-F

MMBT5551-7-F


型号/规格

MMBT5551-7-F

品牌/商标

Diodes

封装形式

SOT-23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率

集电极—发射极电压 VCEO

160 V

集电极—基极电压 VCBO

180 V

直流电集电极电流

0.6 A

增益带宽产品fT

300 MHz