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数据列表 FQD1N60C, FQU1N60C
D-PAK Tape and Reel Data
 
产品相片 TO-252-3
 
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
 
标准包装 2,500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 600V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 1A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 11.5 欧姆 @ 500mA, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 6.2nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 170pF @ 25V
 
功率 - *大 2.5W
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
 
供应商设备封装 TO-252-3
 
包装 带卷 (TR)
 
其它名称 FQD1N60*M-ND
FQD1N60*MTR

品牌/商标

FRE*CALE/飞思卡尔

型号/规格

FQU1N60C

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

开启电压

*(V)

夹断电压

*(V)

跨导

*(μS)

*间电容

*(pF)

低频噪声系数

*(dB)

漏*电流

*(mA)

耗散功率

2500(mW)