产品详情

长期经营场效应 G227N120BN

地区：广东 汕头
认证： 无

曾凌群(个体经营)

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产品参数 T=25

 

Characteristics(参数）Symbol(*号）Value(额定值）Units(单位）
漏源反向击穿电压BV dss600V
连续漏*电流I d2.4A
栅源电压V gs&plu*n;30V
雪崩能量E as140mJ
耗散功率P d64W
储存温度T stg-55～150℃
热阻（结到壳）R jc1.95℃/W
正向压降V sd1.4V












 

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

G227N120BN

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道