原装IR N道沟MOS IRFP150N TO-247AC

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

漏极至源极电压(Vdss)：100V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：42A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：36 毫欧 @ 23A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：110nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：1900pF @ 25V

功率 - 最大：160W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商设备封装：TO-247AC