DODIES 原装现货 N道沟MOSFET 2N7002-7-F
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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标准包装:3,000
类别:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:115mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 25V
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3
包装:带卷 (TR)
其它名称:2N7002-FDITR
DODIES
2N7002-7-F
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
AM/调幅
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道