DODIES 原装现货 N道沟MOSFET 2N7002-7-F

地区:广东 深圳
认证:

深圳市昊天晟科技有限公司

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标准包装:3,000

类别:分离式半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

漏极至源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:115mA

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.5 欧姆 @ 50mA,5V

Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs:-

输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 25V

功率 - 最大:300mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商设备封装:SOT-23-3

包装:带卷 (TR)

其它名称:2N7002-FDITR

品牌/商标

DODIES

型号/规格

2N7002-7-F

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

AM/调幅

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道