原装VISHAY场效应管 IRFL110TRPBF SOT-223
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 540 毫欧 @ 900mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 包装 | 标准包装 |
CER-DIP/陶瓷直插
IRFL110TRPBF
N-FET硅N沟道
A/宽频带放大
Vishay/威世通
MOSFET N 通道，金属氧化物,MOSFET N 通道，金属氧化物,MOSFET N 通道，金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
耗尽型
