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*品牌:
0N/安森美
NTB30N06LT4G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-HBM/半桥组件
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
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场效应管ISL9N308AS3ST原装
场效应管FQD19N10L原装
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ST品牌 MOS管/场效应管STD4NS25原装
场效应管IRLR3715原装
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