AO4435

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数据列表产品相片其它图纸标准包装类别家庭系列包装FET 类型FET 功能漏源*电压 (Vdss)电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)功率 - *大值安装类型封装/外壳供应商器件封装产品目录页面其它名称
AO4435
8-SOIC
AO4xxx Series 8-SOIC Top
AO4xxx Series 8-SOIC End
AO4xxx Series 8-SOIC Side
3,000
分立半导体产品
FET - 单
-
带卷 (TR)
MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平门
30V
10.5A
14 毫欧 @ 11A,20V
3V @ 250µA
24nC @ 10V
1400pF @ 15V
3.1W
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
1668 (CN2011-ZH PDF)
785-1030-2
AO4435L

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品牌/商标

AOS/美国万代

型号/规格

AO4435

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道