K2611 东芝场效应管 *原装

K2611原装现货。         

日本TOSHIBA MOS 2SK2611 K2611 9A/900V N沟道，2SK2611 K2611功率MOSFET主要用于DC- DC转换器，继电器驱动器和电机驱动器。

2SK2611 K2611 TOSHIBA MOS特点：  

*性: N沟

漏源电压V_DSS:900 V

漏电流I_D：9 A

漏功耗P_D：150 W

门电荷总数Q_g(nC) (标准)：58

漏源导通电阻R_DS(ON)(*大) @V_GS=10V：1.4 Ω

低漏源电阻：R_{DS (ON)}= 1.2 Ω (t*.)

高正向传输导纳：|Y_fs| = 7.0 S (t*.)

低漏电流：I_DSS= 100 μA (max) (V_DS= 720 V)
增强模式：V_th= 2.0 to 4.0 V (V_DS= 10 V, I_D= 1 mA)

封装：TO-*(N)

2SK2611 K2611 TOSHIBA MOS*对*大额定值：（Ta= 25℃）