2SK1808日立场效应管
地区：广东 深圳
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无
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Hitachi/日立
2SK1808
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
NF/音频(低频)
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
900（V）
4（V）
4（μS）
1（pF）
1（dB）
1（mA）
1（mW）
