12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7854TRPBF场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳四海联创电子科技有限公司

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参数
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 80V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 10A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 13.4 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)4.9V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1620pF @ 25V 
功率 - *大值 2.5W

应用
初级侧开关两个桥或
使用48V开关正激拓扑
(&plu*n;10%)或36V至60VETSI范围的输入
次级侧同步
   整流开关12VOUT
适合为48V的非隔离
  同步降压DC-DC应用

 

优点
低栅*漏*电荷减少
  开关损耗
充分界定电容包括
*COSS为了简化设计,
(见附录AN1001
充分界定雪崩电压
和电流

封装图片展示
 











材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

IRF7854TRPBF

封装外形

SMD(SO)/表面封装

品牌/商标

IR/国际整流器

用途

S/开关

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

功率 - 值

2.5W

电流 - 连续漏*

10A

漏源*电压 (Vdss)

80V