深圳市弘创电子:供应NDS351AN-NL

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二期弘创伟业电子商行

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1.2A, 30卷RDS () = 0.25 W @ VGS = 4.5 V
RDS () = 0.16 W @ VGS = 10 V。
工业标准的概述SOT-23表面登上包裹*的using私有的SuperSOTTM-3设计thermal和电子能力。*低的RDS的高密度细胞设计()。
Exceptional在*和*大值DC潮流
capability.
Compact工业标准的SOT-23表面登上

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品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

NDS351AN-NL

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

10(V)

夹断电压

4,5(V)

低频跨导

250UA(μS)

*间电容

145(pF)

漏*电流

1.4A(mA)

耗散功率

460(mW)