产品详情

NTD4805N-1G 功率MOSFET

地区：广东 深圳
认证： 无

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制造商:ON Semiconductor 
产品种类:MOSFET 
 
晶体管*性:N-Channel 
汲*/源*击穿电压:30 V 
闸/源击穿电压: /- 20 V 
漏*连续电流:17.4 A 
电阻汲*/源* RDS（导通）:5 mOhms at 11.5 V 
配置:Single 
*大工作温度: 175 C 
安装风格:SMD/SMT 
封装 / 箱体:IPAK 
 
下降时间:4.4 ns, 8 ns 
正向跨导 gFS（*大值/*小值）:17 S 
*小工作温度:- 55 C 
功率耗散:2650 mW 
上升时间:20.5 ns, 20.3 ns 
工厂包装数量:75 
典型关闭延迟时间:30.8 ns, 20.8 ns
品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

功率MOSFET

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

P-DIT/塑料双列直插