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LRC乐山无线电MOS场效应管LBSS123LT1G

地区：广东深圳

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LBSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

-

LRC乐山无线电

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

100V

170mA

6 欧姆 @ 100mA，10V

2.8V @ 1mA

-

20pF @ 25V

225mW

表面贴装

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

SOT-23-3（TO-236）

带卷 (TR)

"

类型

其他IC

品牌/商标

LRC乐山无线电

型号/规格

LBSS123LT1G

用途

D-G双栅四*

封装外形

CHIP/小型片状

材料

GaAS-FET砷化镓

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型