FQD3N60CTM MOSFET 600V

规格

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制造商: ON Semiconductor 

    产品种类: MOSFET 

RoHS:  详细信息  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: TO-252-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 600 V 

Id-连续漏极电流: 2.4 A 

Rds On-漏源导通电阻: 3.4 Ohms 

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 

Qg-栅极电荷: 10.5 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 50 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: QFET 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

高度: 2.39 mm 

长度: 6.73 mm  

系列: FQD3N60CTM_WS  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 6.22 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

下降时间: 35 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 30 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 35 ns  

典型接通延迟时间: 12 ns  

零件号别名: FQD3N60CTM_WS  

单位重量: 260.370 mg