SI4925DDY-T1-GE3 原装

标准包装：2500，1

包装类型：带卷 (TR)，剪切带 (CT)，Digi-Reel®

RoHS规范：无铅 /环保型

产品描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC  

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：29 毫欧 @ 7.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1350pF @ 15V

功率 - 最大值：5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

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