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产品属性
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标准包装:95
包装类型:管件
RoHS规范:无铅 /环保型
产品系列:HEXFET®
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 2.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):520pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
温馨提示:
1.产品图片为形象图片,以实物为准;
2.网上报价仅供参考,根据购买数量的不同会有不同的价格浮动,以实时销售报价为准!
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