场效应管 N沟道 电压30V 电流2.2A FDN337N
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| 制造商: | Fairchild Semiconductor | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
|
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| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SSOT-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | 2.2 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 65 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 8 V | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标: | Fairchild Semiconductor | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 10 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 13 S | |
| 高度: | 0.94 mm | |
| 长度: | 2.92 mm | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 500 mW | |
| 产品: | MOSFET Small Signal | |
| 上升时间: | 10 ns | |
| 工厂包装数量: | 3000 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 类型: | FET | |
| 典型关闭延迟时间: | 17 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 4 ns | |
| 宽度: | 1.4 mm | |
| 零件号别名: | FDN337N_NL | |
| 单位重量: | 30 mg |
FDN337NFDN337NFDN337N
FDN337N
FAIRCHILD（飞兆）
SOT23-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
