场效应管 电压25V 电流11.3A NTD4863N
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | ON Semiconductor | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 商标: | ON Semiconductor | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 25 V | |
| Id-连续漏极电流: | 11.3 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 9.3 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| Qg-栅极电荷: | 17.8 nC | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 19.7 ns, 16.5 ns | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 1.95 W | |
| 上升时间: | 19.7 ns, 16.5 ns | |
| 系列: | NTD4863N | |
| 工厂包装数量: | 2500 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 13.5 ns, 20.2 ns | |
| 典型接通延迟时间: |
11.5 ns, 7 ns |
NTD4863NNTD4863NNTD4863N
NTD4863N
ON（安森美）
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
