场效应管电压30V 电流17A FDS4435BZ

地区：广东深圳

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制造商:	Fairchild Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8
通道数量:	1 Channel
晶体管极性:	P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	- 30 V
Id-连续漏极电流:	8.8 A
Rds On-漏源导通电阻:	16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	25 V
最大工作温度:	+ 150 C
封装:	Reel
通道模式:	Enhancement
商标:	Fairchild Semiconductor
配置:	Single Quad Drain Triple Source
下降时间:	38 ns
正向跨导 - 最小值:	24 S
最小工作温度:	- 55 C
Pd-功率耗散:	2.5 W
上升时间:	13 ns
系列:	FDS4435
工厂包装数量:	2500
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	68 ns
典型接通延迟时间:	12 ns
零件号别名:	FDS4435BZ_NL
单位重量:	187 mg

场效应管 电压30V 电流17A FDS4435BZ