场效应管 电压75V 电流2.3A BSP716N

地区:广东 深圳
认证:

日新微电子(深圳)有限公司

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-SOT-223-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 2.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Qg-栅极电荷: 8.7 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 16.7 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
上升时间: 5.5 ns
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 50.1 ns
典型接通延迟时间: 4.6 ns
零件号别名: BSP716N H6327 SP

BSP716N BSP716N BSP716N

型号/规格

BSP716N

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

SOT-223

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率