场效应管 电压75V 电流2.3A BSP716N
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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制造商: | Infineon | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | PG-SOT-223-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | P-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 75 V | |
Id-连续漏极电流: | 2.3 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 160 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 800 mV | |
Qg-栅极电荷: | 8.7 nC | |
最大工作温度: | + 150 C | |
封装: | Reel | |
通道模式: | Enhancement | |
商标: | Infineon Technologies | |
配置: | Single | |
下降时间: | 16.7 ns | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 1.8 W | |
上升时间: | 5.5 ns | |
晶体管类型: | 1 P-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 50.1 ns | |
典型接通延迟时间: | 4.6 ns | |
零件号别名: | BSP716N H6327 SP |
BSP716N BSP716N BSP716N
BSP716N
INFINEON(英飞凌)
SOT-223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率