场效应管 电压100V 电流2.3A DMN10H220LE
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
| 制造商: | Diodes Incorporated | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
|
|
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT223 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
| Id-连续漏极电流: | 2.3 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 220 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | +/- 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.7 V | |
| Qg-栅极电荷: | 8.3 nC | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 技术: | - | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标: | Diodes Incorporated | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 3.6 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | - | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 1.8 W | |
| 上升时间: | 8.2 ns | |
| 系列: | DMN10 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 7.9 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 6.8 ns |
DMN10H220LEDMN10H220LEDMN10H220LE
DMN10H220LE
DIODES
SOT-223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
