场效应管 电压100V 电流3.3A FDT86113LZ
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
相关推荐
制造商: | Fairchild Semiconductor | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SOT-223-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
Id-连续漏极电流: | 3.3 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 100 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | +/- 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.7 V | |
Qg-栅极电荷: | 4.1 nC | |
最大工作温度: | + 150 C | |
封装: | Reel | |
商标: | Fairchild Semiconductor | |
配置: | Single | |
下降时间: | 1.5 ns | |
正向跨导 - 最小值: | 8 S | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 2.2 W | |
上升时间: | 1.3 ns | |
系列: | FDT86113LZ | |
工厂包装数量: | 4000 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 10 ns | |
典型接通延迟时间: | 3.8 ns | |
单位重量: | 250.200 mg |
FDT86113LZFDT86113LZFDT86113LZ
FDT86113LZ
FSC
SOT-223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率