场效应管 电压100V 电流1.5A IRLL110
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
相关推荐
制造商: | Vishay | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 否 | |
商标: | Vishay / Siliconix | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SOT-223-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
Id-连续漏极电流: | 1.5 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 540 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V | |
最大工作温度: | + 150 C | |
封装: | Tube | |
通道模式: | Enhancement | |
配置: | Single Dual Drain | |
下降时间: | 18 ns | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 2 W | |
上升时间: | 47 ns | |
工厂包装数量: | 80 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 16 ns | |
典型接通延迟时间: |
9.3 ns |
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。
IRLL110IRLL110IRLL110IRLL110
IRLL110
VISHAY
SOT-223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率