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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
FDD8796 FDD8796 FDD8796 FDD8796
FDD8796
FAIRCHILD(飞兆)
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
场效应管 电压25V 电流81A IRLR8256
场效应管 电压- 55V 电流- 18A IRFR5505
场效应管 电压30V 电流20A NTD20N03L27
场效应管 电压500V 电流7.6A SPD08N50C3
场效应管 电压80V 电流39A IRLR2908
MOSFET场效应管 P-MOS P沟道 电压-60V 电流1.8A 贴片三极管 VISHAY SOT223-3 IRFL9014TRPBF
场效应管 电压55V 电流89A IRLR3705Z
场效应管 电压60V 电流22V NVD5867NL
场效应管 电压600V 电流4.3A IPD60R1K0CE
场效应管 N-MOS N沟道 SiHFR010