场效应管 电压40V 电流101A NTD5802N
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| 制造商: | ON Semiconductor | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: | 过渡期间 | |
| 商标: | ON Semiconductor | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 40 V | |
| Id-连续漏极电流: | 101 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 6.5 Ohms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| 最大工作温度: | + 175 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 8.5 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 16.8 S | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 93.75 W | |
| 上升时间: | 52 ns | |
| 系列: | NTD5802N | |
| 工厂包装数量: | 2500 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 39 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 14 ns |
NTD5802NNTD5802NNTD5802N
NTD5802N
ON（安森美）
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
