场效应管 电压30V 电流11.6A NTD4970N
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | ON Semiconductor | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | 11.6 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 21 mOhms | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V | |
| Qg-栅极电荷: | 8.2 nC | |
| 封装: | Reel | |
| 商标: | ON Semiconductor | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 5.7 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 34 S | |
| Pd-功率耗散: | 2.55 W | |
| 上升时间: | 27.6 ns | |
| 系列: | NTD4970N | |
| 工厂包装数量: | 2500 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
NTD4970NNTD4970NNTD4970N
NTD4970N
ON（安森美）
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
