场效应管电压100V 电流12.4A FDMS86101

地区：广东深圳

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制造商:	Fairchild Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Power-56-8
通道数量:	1 Channel
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	12.4 A
Rds On-漏源导通电阻:	8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
最大工作温度:	+ 150 C
封装:	Reel
通道模式:	Enhancement
商标:	Fairchild Semiconductor
配置:	Single Quad Drain Triple Source
下降时间:	7 ns
最小工作温度:	- 55 C
Pd-功率耗散:	2.5 W
上升时间:	11 ns
系列:	FDMS86101
工厂包装数量:	3000
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	27 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
单位重量:	68.100 mg

场效应管 电压100V 电流12.4A FDMS86101