场效应管 电压500V 电流5.3A SiHD5N50D
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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制造商: | Vishay | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
商标: | Vishay Semiconductors | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 500 V | |
Id-连续漏极电流: | 5.3 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 1.5 Ohms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V | |
Qg-栅极电荷: | 10 nC | |
封装: | Reel | |
配置: | Single | |
下降时间: | 11 ns | |
正向跨导 - 最小值: | 1.8 S | |
Pd-功率耗散: | 104 W | |
上升时间: | 11 ns | |
系列: | E | |
工厂包装数量: | 3000 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
SiHD5N50DSiHD5N50DSiHD5N50DSiHD5N50D
SiHD5N50D
VISHAY
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率