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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
SiHFR024SiHFR024SiHFR024SiHFR024
SiHFR024
VISHAY
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
场效应管 电压-100V 电流3.7A ZXMP10A18GTA
场效应管 电压500V 电流3.7A FDD5N50NZF
MOSFET场效应管 N-MOS N沟道 电压100V 电流5A 贴片三极管 ROHM TO-252 RSD050N10
场效应管 电压-60V 电流3.5A ZXMP6A17GQTA
场效应管 电压55V 电流36A IRLR2905
场效应管 电压- 40V 电流- 8.6A DMP4025LK3
场效应管 电压- 100V 电流- 13A IRFR5410
场效应管 电压100V 电流10A FQD13N10
场效应管 电压30V 电流46A FDD6690A
场效应管 N-MOS N沟道 NP32N055ILE