MOSFET场效应管 N-MOS N沟道 电压100V 电流5A 贴片三极管 ROHM TO-252 RSD050N10
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | ROHM Semiconductor | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
| Id-连续漏极电流: | 5 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 145 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V to 2.5 V | |
| Qg-栅极电荷: | 14 nC | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 商标: | ROHM Semiconductor | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 15 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 2.5 S | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 15 W | |
| 上升时间: | 15 ns | |
| 系列: | RSD050N10 | |
| 工厂包装数量: | 2500 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 45 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 10 ns |
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
RSD050N10
ROHM（罗姆）
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
