MOSFET场效应管 N-MOS N沟道 电压100V 电流5A 贴片三极管 ROHM TO-252 RSD050N10

地区:广东 深圳
认证:

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制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 145 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V to 2.5 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 最小值: 2.5 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 15 W
上升时间: 15 ns
系列: RSD050N10
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 10 ns



场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管



型号/规格

RSD050N10

品牌/商标

ROHM(罗姆)

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率