MOSFET场效应管 N-MOS N沟道 电压100V 电流5A 贴片三极管 ROHM TO-252 RSD050N10
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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制造商: | ROHM Semiconductor | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: |
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|
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
Id-连续漏极电流: | 5 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 145 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V to 2.5 V | |
Qg-栅极电荷: | 14 nC | |
最大工作温度: | + 150 C | |
封装: | Reel | |
商标: | ROHM Semiconductor | |
配置: | Single | |
下降时间: | 15 ns | |
正向跨导 - 最小值: | 2.5 S | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 15 W | |
上升时间: | 15 ns | |
系列: | RSD050N10 | |
工厂包装数量: | 2500 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 45 ns | |
典型接通延迟时间: | 10 ns |
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
RSD050N10
ROHM(罗姆)
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率