供应MOS管FDM2509NZ

地区:广东 深圳
认证:

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应用于锂电池

General Description
This dual N-Channel MOSFET has been designed
using Fairchild Semiconductor’s advanced Power
Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v on
special MicroFET lead frame with all the drains on one
side of the package.
Applications
•  Li-Ion Battery Pack

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FDM2509NZ

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

TR/激励、驱动

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

20(V)

夹断电压

12(V)

跨导

240(μS)

*间电容

12000(pF)

低频噪声系数

100(dB)

漏*电流

18(mA)

耗散功率

22(mW)