拆机杨效应4N80.10N60.20N60.4N60.,,,,,,,

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品牌/商标

ST,F,三星,

型号/规格

10N60............20N60........

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

L/功率放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

漏*电流

...................

跨导

?

开启电压

10A,600V

夹断电压

20A,600V

低频噪声系数

................

*间电容

................

耗散功率

................