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产品属性
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东芝2SK376场效应管,N沟道场管。因东芝2SK3067已经停产,2SK3767替代2SK3067。
2SK3767 特点
2SK3767,采用TO-220SIS封装方式。
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):4.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:25W
功率, Pd:25W
晶体管类型:MOSFET
电流, Idm 脉冲:5A
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
东芝代理光耦:TLP185、TLP187、TLP701、TLP127、TLP181、TLP184、TLP290
TLP291、TLP280、TLP281、TLP781、TLP785高速光耦,优势价格!!
TOSHIBA东芝MOS管:2SK3767、2SK3067、2SK3878、2SK4107、2SK4108。。。
深圳市世纪煦阳电子有限公司
公司官网:https://www.xuyoe.com
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:何先生
业务 1602931243
: 85260990
:ken@xuyoe.com
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型号:2SK3767 品牌:TOSHIBA 封装:TO220
CER-DIP/陶瓷直插
2SK3767
N-FET硅N沟道
MOS-INM/独立组件
TOSHIBA/东芝
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型