供应H9DA4GH4JJAMCR-4EM

FEATURES
[ MCP ]
● Operation Temperature
- -30 o C ~ 85 o C
● Packcage
- 137-ball FBGA - 10.5x13.0mm 2 , 1.2t, 0.8mm pitch
- Lead & Halogen Free
[ NAND Flash ]
● Multiplane Architecture
● Supply Voltage
- Vcc = 1.7 - 1.95 V
● Memory Cell Array
- (1K + 32) words x 64 pages x 4096 blocks
● Page Size
- (1K+ 32 spare) Words
● Block Size
- (64K + 2K spare) Words
● Page Read / Program
- Random access : 25us (max.)
- Sequential access : 45ns (min.)
- Page program time : 250us (typ.)
- Multi-page program time (2 pages) : 250us (typ.)
● COPY BACK PROGRAM
- Automatic block download without latency time
● FAST BLOCK ERASE
- Block erase time: 3.5ms (typ.)
- Multi-block erase time (2 blocks) : 3.5ms (typ.)
● CACHE READ
- Internal (2048 + 64) Byte buffer to improve the read
throughtput.
● STATUS REGISTER
- Normal Status Register (Read/Program/Erase)
- Extended Status Register (EDC)
● BLOCK PROTECTION
- To Protect Block against Write/Erase
● HARDWARE DATA PROTECTION
- Program/Erase locked during Power transitions.
● DATA RETENTION
- 100,000 Program / Erase cycles (with 1bit /528Byte ECC)
- 10 Year Data retention
[ DDR SDRAM ]
● Double Data Rate architecture
- two data transfer per clock cycle
● x32 bus width
● Supply Voltage
- VDD / VDDQ = 1.7 - 1.95 V
● Memory Cell Array
- 16Mb x 4Bank x 32 I/O x 2 Die
● Bidirectional data strobe (DQS)
● Input data mask signal (DQM)
● Input Clock
- Differential Clock Inputs (CK, /CK)
● MRS, EMRS
- JEDEC Standard guaranteed
● CAS Latency
- Programmable CAS latency 2 or 3 supported
● Burst Length
- Programmable burst length 2 / 4 / 8 with both sequen-
tial and interleave mode

特征

[微软]

●操作温度

- 30 C 85 C ~

●packcage

137球FBGA封装- 10.5x13.0mm 2，1.2T，间距为0.8mm

铅和卤素自由

【NAND Flash ]

●多平面结构

●电源电压

- 1.7 - 1.95 V的VCC =

●存储器单元阵列

-（1K±32）字×64页×4096块

●页面大小

-（1K + 32备用）的话

●块大小

-（64K + 2K备用）的话

●页读/程序

随机访问：精度（最大）

顺序存取：45ns（分钟）

页的计划时间：250us（典型值。）

多页的编程时间（2页）：250us（典型值。）

●回拷贝程序

没有延迟时间自动分块下载

●快速的块擦除

块擦除时间：3.5ms（典型值。）

多块擦除时间（2块）：3.5ms（典型值。）

●缓存读取

内部（2048 + 64）字节缓冲区来提高阅读

吞吐量。

●状态寄存器

正常状态寄存器（读/编程/擦除）

扩展状态寄存器（EDC）

●块保护

为了保护块对写入/擦除

●硬件数据保护

编程/擦除的权力过渡期间锁定。

●数据保留

100000的编程/擦除周期（与1位/ 528byte ECC）

10年的数据保留

【DDR SDRAM ]

●双倍数据速率结构

两个数据传输每个时钟周期

●X32总线宽度

●电源电压

VDD / VDDQ = 1.7 - 1.95 V

●存储器单元阵列

- 16MB的X 4bank×32的I / O x 2死

●双向数据选通（DQS）

●输入数据掩蔽信号（DQM）

●输入时钟

差分时钟输入（CK，CK /）

●夫人，电子病历

- JEDEC标准保证

●CAS延迟

可编程延迟时间2或3支

●突发长度

可编程的突发长度的2 / 4 / 8与两个序列—

TiAl和交织模式

兴达电子股份有限公司

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