供应H8BCS0QG0MBP-56M-C

H8BCS0QG0MBP-56M-C   1+512

 (快闪记忆体)●多翼机架构

电源电压- Vcc = 1.7 - 1.95 V

●内存单元阵列(1 k + 32)话说x 64 x 64页块

●页面大小——(1 k + 32备用)话说

●块大小——(64 k + 2 k备用)话说

●页面读/程序,随机存取:25我们(max。)——顺序存取:50 ns(min)。页的计划时间:200年美国(typ。)

●复制程序,自动闭塞下载没有延迟时间

●快速块擦除块擦除时间:2.0毫秒(typ)。

●缓存读——内部(2048 + 64)改善readthroughtput字节缓冲区。

●状态寄存器

●数据保留- 100000计划/消除周期(1位/ 528字节ECC)- 10年数据保留

 (DDR SDRAM)●双倍数据速率架构——两个数据传输每个时钟周期

●●x16总线宽度电源电压- VDD / VDDQ = 1.7 - 1.95 V

●存储器单元阵列- 8 x 4银行x 16 mb I / O

●双向数据选通输入数据(DQS)

●面具(DQM)

●输入时钟-微分信号时钟输入(CK、CK)

●夫人,电子病历- JEDEC标准保证●破裂长度可编程脉冲串长度2 / 4/8 sequen-tial和交错模式

=========================================================================

兴达电子-----原装正品 散料专家