供应 晶体管IRF530NSTRLPBF

数据列表IRF530N(S,L)PbF;

标准包装  800包装  标准卷带 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）90 毫欧 @ 9A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）37nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）920pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）3.8W（Ta），70W（Tc）工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装D2PAK封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 晶体管

中国的半导体分立器件产业已经在国际市场占有举足轻重的地位并保持着持续、快速、稳定的发展。随着电子整机、消费类电子产品等市场的持续升温，半导体分立器件仍有很大的发展空间，因此，有关SIC基、GSN基以及封装等新技术新工艺的发展，新型分立器件在汽车电子、节能照明等热点领域的应用前景等成了广受关注的问题。当前全球分立器件市场总体保持稳步向上， 晶体管而亚洲地区特别是中国市场表现犹为显眼。虽然受金融危机和行业周期性调整的影响，半导体分立器件行业市场发展处于低迷时期，但前景依然美好。从发展趋势看，无论是全球还是中国，分立器件在电子信息产品制造业中销售额度所占比例正在逐步下降，分立器件产量和产值的增长速率要低于整机系统的增长速率。另一方面，整机系统的快速发展，也为分立器件行业提供了新的市场商机。特别是全球电子整机对节能、环保需求的不断增长， 晶体管这一方面带动了分立器件产品的需求增长，另一方面也带动了市场产品结构的快速升级。整机系统进一步向小型化、集成化方向发展的趋势，对分立器件也提出了新的要求，片式贴装器件已经成为行业发展的主流。中国企业要想在未来市场中竞争中掌握主动权，必须加强原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新。半导体分立器件制造行业竞争的不断加剧，大型半导体分立器件制造企业间并购整合与资本运作日趋频繁，国内优秀的半导体分立器件制造企业愈来愈重视对行业市场的研究，特别是对企业发展环境和客户需求趋势变化的深入研究。