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供应FDP025N06,FDP032N08(图)

地区：广东 汕头
认证： 无

蔡钟强

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品牌/商标

SAM韩国三星

型号/规格

FDP025N06,FDP032N08

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

100（V）

夹断电压

150（V）

*间电容

12（pF）

低频噪声系数

10（dB）

漏*电流

100（mA）

耗散功率

120（mW）