VISHA MOSFET: SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3 是美国VISHAY公司推出的可以替代SI7102DN-T1-GE3的新一代中小功率MOSFET。主要用于笔记本类移动终端内部供电所需的DC-DC转换。高度集成的封装小型化，和超高能效转化率是其显著的特色。该系列产品拥有注册专利技术-TrenchFET，可以提供業界最佳導通電阻值，比其最具競爭性的對手產品低達27%。 威世 Siliconix SiR662DP TrenchFET 電力場效應晶體亦提供業界最佳導通電阻值乘以柵極電荷關鍵優值，比其最具競爭性的對手優勝高達 57%。 SiR662DP TrenchFET 電力場效應晶體能提供較低的導電耗損，同時也能減低開關耗損，特別是在處於較高頻率時。 另一業界頂級的N-頻道 TrenchFET 裝置為 SiR640DP。 威世 Siliconix SiR640DP 40V 電力場效應晶體提供比其最具競爭性對手的導通電阻值低達 4%，而它的關鍵優值則較低 15%。 這兩款裝置專為供直流/直流及交直流轉換器的二次側同步整流、直流/直流轉換器的一次側開關、負載點組件，及其他裝置而設計。另外SISH410DN-T1-GE3系列产品采用的是VISHAY的专利封装技术PowerPAK，可以实现在移动终端上的超高集成度和超小体积。

SISH410DN-T1-GE3我公司常备大量现货可以随时满足您的试样，升级换代需求，

SISH410DN-T1-GE3比之上一代的产品SI7102DN-T1-GE3采用了更环保的材料，同时采用了更好的外围保护电路，使得产品的可靠性和使用寿命以及响应速度得到进一步提升。

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ADI收购Hittite

Hittite我们主要做HMC开头的一些产品 像HMC425ALP4E  HMC241AQS16E  HMC553LC3B HMC835LP6GE

HMC470LP3E HMC476MP86 HMC478MP86E  HMC833LP6GE  HMC472ALP4E   HMC392LC4  HMC547ALP3E

HMC344LH5等等 品种繁多不能一一列举更多的请来电咨询.

ADI的主做军用的像AD603AQ AD693AQ AD595AQ  中间三位数的 还有AD8 .9开头的器件.