FQPF8N60 FQP8N60 8N60 FSC*童系列 600VN沟道MOSFET

FQPF8N60C - 600V N沟道MOSFET - 飞兆半导体

描述：

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面条形，DMOS技术。这种*的技术已*针对*大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并能承受*量脉冲雪崩和换向模式。这些器件*适用于*率开关模式电源供应器，有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥拓扑

特点：

• 7.5A，600V，R _DS（ON） = 1.2 @ V _GS = 10 V
• 低栅*电荷（典型28 nC）
• 低Crss（典型12 pF）
• 快速开关
• 100％的雪崩测试
• 改进dv / dt能力