供应PIC16F914-I/PT 集成电路（IC） 嵌入式 - 微控制器

零件编号 PIC16F914-I/PT-ND

制造商

Microchip Technology

制造商零件编号

PIC16F914-I/PT

类别 集成电路（IC）

嵌入式 - 微控制器

制造商 Microchip Technology

系列 PIC® 16F

包装 ? 托盘 ?

零件状态 在售

核心处理器 PIC

核心尺寸 8-位

速度 20MHz

连接性 I2C，SPI，UART/USART

外设 欠压检测/复位，LCD，POR，PWM，WDT

I/O 数 35

程序存储容量 7KB（4K x 14）

程序存储器类型 闪存

EEPROM 容量 256 x 8

RAM 容量 256 x 8

电压 - 电源（Vcc/Vdd） 2 V ~ 5.5 V

数据转换器 A/D 8x10b

振荡器类型 内部

工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）

封装/外壳 44-TQFP

供应商器件封装 44-TQFP（10x10）

基本零件编号 PIC16F914

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对于趋肤深度的形象理解是：由于电磁波在良导体内部呈现指数衰减，当电磁波渗入导体内部一个趋肤深度的厚度时，电磁波幅度将衰减1/e，也就是36.8%。如果导体厚度达到三个趋肤深度及以上，通常就认为电磁波幅度衰减为零。

以上是我们对于导体损耗与趋肤深度关系的通常认识，下面本文要讨论的问题是：如果良导体的厚度等于趋肤深度甚至小于趋肤深度，电磁波会穿透良导体吗？上面提到的“表面电阻等于电导率与趋肤深度乘积之倒数”该如何应用于导体厚度小于趋肤深度的情形？

实际上，教科书中有关趋肤深度的讨论是针对导体厚度无限大的理想模型来进行的。当导体厚度等于趋肤深度甚至远小于趋肤深度而演变为导电薄膜时，电磁波渗入导体内部以后，将在出射导体薄膜时由于导体薄膜阻抗与空气阻抗的失配而发生发射（假设导电薄膜背面为空气介质）。因此，即便导电薄膜的厚度只有一个趋肤深度，此时电磁波的衰减量也不再是上文中所说的36.8%。