供应NDT3055L分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

零件编号 NDT3055LTR-ND

现有数量 5000

检查提前期

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NDT3055L

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 4A，10V

工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-223-4

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

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在表一中的一套规格化的R3 的阻值可以用作产生不同等级的衰减。对于表中没有的阻值，可以用以下的公式计算

R3=(Vo/Vin)/(2-2(Vo/Vin))

如果表中有值，按以下方法处理：

为Rf和Rin在1K到100K之间选择一个值，该值作为基础值。

将Rin 除以二得到RinA 和RinB。

将基础值分别乘以1 或者2 就得到了Rf、Rin1 和Rin2，如图五中所示。

在表中给R3 选择一个合适的比例因子，然后将他乘以基础值。

比如，如果Rf是20K，RinA和RinB都是10K，那么用12.1K的电阻就可以得到-3dB的衰减。